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新型光譜儀探測器介紹
發布時間：2020-08-31 08:54:31 點擊：6480
分光晶體LiF200分辨率31，適用于波長色散領域。
波長色散-分光晶體LiF220分辨率22，，適用于波長色散領域。
Si(Ii)探測器分辨率140，，適用于150keV領域。
高純Ge探測器分辨率150，適用于1~120keV領域。
Si漂移探測器(SDD)分辨率140，適用于二維陣列領域。
溫差電冷型半導體探測器(SiPIN)分辨率149，適用于2~25keV領域。
電耦合陣列探測器(CDD)分辨率130，適用于二維陣列領域。
超導躍變徽熱量感應器(TES)分辨率3.9，適用于實驗新型領域。
超導隧道結探測器(STJ)分辨率12，適用于實驗新型領域。
CdZnTe探測器分辨率280，適用于2~100keV領域。
低能Ge探測器分辨率522，適用于5~1000領域。
四葉花瓣型探測器分辨率1050，適用于高能粒子領域。
盡管波長色散X射線光譜儀由于使用分光晶體而達到約12eV的分辨率，但最新的能量探測器已可達到4eV，在分辨率方面已取得優勢。目前許多廠家已推出了成功的能量色散X射線光譜儀，波長色散與能量色散在X射線光譜儀中的份額已發生明顯變化，能量色散X射線光譜儀的比重顯著增加。
事實上，如果新型能量探測器在計數率和制造工藝的穩定性方面能取得突破，則能量色散X射線光譜儀有可能在未來逐步取代復雜的波長色散X射線光諧儀系統，成為X射線熒光光譜分析領域的主流。
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